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NI-10M-3531 10MHz 5V ±0.5ppb  CMOS 低老化率±20ppb/year 对比 收藏 NI-10M-3531 10MHz 5V ±0.5ppb CMOS 低老化率±20ppb/year pdf规格书 商品编号:J004584_P_4651 品牌:TAITIEN/台湾泰艺 封装规格:36.3*27.2*12.7 型号:NI-10M-3531 规格描述: 系列:NI 封装尺寸:DIP-36.3*27.2mm 频率:10MHz 工作电压:5V 频差:±0.5ppb 工作温度:-40~+85℃ 输出方式:CMOS 负载电容:15pF
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NA-10M-2450 10MHz 5V ±3ppb -30~+70℃ 对比 收藏 NA-10M-2450 10MHz 5V ±3ppb -30~+70℃ pdf规格书 商品编号:J004064_P_4111 品牌:TAITIEN/台湾泰艺 封装规格:25.4*25.4*12.7mm 型号:NA-10M-2450 规格描述: 系列:NA 封装尺寸:DIP-25*25mm 频率:10MHz 工作电压:5V 频差:±3ppb 工作温度:-30~+70℃
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NA-10M-2405 10MHz 5V ±10ppb -40~+85℃ 对比 收藏 NA-10M-2405 10MHz 5V ±10ppb -40~+85℃ pdf规格书 商品编号:J004063_P_4110 品牌:TAITIEN/台湾泰艺 封装规格:25.4*25.4*12.7mm 型号:NA-10M-2405 规格描述: 系列:NA 封装尺寸:DIP-25*25mm 频率:10MHz 工作电压:5V 频差:±10ppb 工作温度:-40~+85℃
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NA-10M-2452 10MHz 5V ±10ppb -30~+70℃ 对比 收藏 NA-10M-2452 10MHz 5V ±10ppb -30~+70℃ 商品编号:J004066_P_4113 品牌:TAITIEN/台湾泰艺 封装规格:25.4*25.4*12.7mm 型号:NA-10M-2452 规格描述: 系列:NA 封装尺寸:DIP-25*25mm 频率:10MHz 工作电压:5V 频差:±10ppb 工作温度:-30~+70℃
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10MHz 3.3V ±50ppm -40~+85℃ 5032_4P 对比 收藏 10MHz 3.3V ±50ppm -40~+85℃ 5032_4P pdf规格书 商品编号:J004321_P_4370 品牌:TAITIEN/台湾泰艺 封装规格:SMD-5032-4P 型号:OVETGLJANF-10.000000MHz 规格描述: 系列:OC 封装尺寸:SMD-5032-4P 频率:10MHz 工作电压:3.3V 频差:±50ppm 工作温度:-40~+85℃ 输出方式:CMOS 负载电容:15pF
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NA-10M-2453 10MHz 5V ±3ppb -40~+85℃ 对比 收藏 NA-10M-2453 10MHz 5V ±3ppb -40~+85℃ pdf规格书 商品编号:J004067_P_4114 品牌:TAITIEN/台湾泰艺 封装规格:25.4*25.4*12.7mm 型号:NA-10M-2453 规格描述: 系列:NA 封装尺寸:DIP-25*25mm 频率:10MHz 工作电压:5V 频差:±3ppb 工作温度:-40~+85℃
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NFEEGEJTNF-10MHz 10MHz 3.3V ±50ppb -0~+70℃ CMOS 对比 收藏 NFEEGEJTNF-10MHz 10MHz 3.3V ±50ppb -0~+70℃ CMOS pdf规格书 商品编号:J004141_P_4189 品牌:TAITIEN/台湾泰艺 封装规格:20.3*12.7*11mm 型号:NFEEGEJTNF-10MHz 规格描述: 系列:NF 封装尺寸:DIP-20.3*12.7mm 频率:10MHz 工作电压:3.3V 频差:±50ppb 工作温度:-0~+70℃ 输出方式:CMOS Pulling Range牵引范围(ppm):±5ppm
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NA-10M-2500 10MHz 5V ±3ppb -30~+70℃ Sine wave 对比 收藏 NA-10M-2500 10MHz 5V ±3ppb -30~+70℃ Sine wave pdf规格书 商品编号:J004070_P_4117 品牌:TAITIEN/台湾泰艺 封装规格:25.4*25.4*12.7mm 型号:NA-10M-2500 规格描述: 系列:NA 封装尺寸:DIP-25*25mm 频率:10MHz 工作电压:5V 频差:±3ppb 工作温度:-30~+70℃ 输出方式:Sine wave
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